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（f-h）与硅FET相比，特高该研究的弹道2DInSeFET的VDD、栅极延迟和EDP的缩放趋势。个人获何梁何利基金科学与技术进步奖（2018年）、压交全国创新争先奖（2017年）、压交推动北京创造的十大科技人物（2015年）、全国优秀博士学位论文指导教师（2009年）、北京大学首届十佳导师（2013年）等荣誉。流输（d）晶体管中与温度相关的扩散和弹道传输模式示意图。

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全线吸附情况：Y原子被吸收在InSe表面的中空位点（ads-H）顶部和In原子（ads-In）顶部。

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